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Experimental Demonstration of Combination-Encoding Content-Addressable Memory of 0.75 Bits Per Switch Utilizing Hf-Zr-O Ferroelectric Tunnel Junctions

Manh-Cuong Nguyen,Jiwon You, Yonguk Sim,Rino Choi,Doo Seok Jeong,Daewoong Kwon

Materials Horizons（2024）

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