ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА GAN HEMT ТРАНЗИСТОРОВ ОТ РЕЖИМОВ РАБОТЫ

Ю.А. Чаплыгин, В.В. Лосев,А.И. Хлыбов,Д.В. Родионов, Е.Ю. Котляров,В.И. Егоркин

Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника（2023）

Cited 0|Views0

No score

Abstract

В статье приведены результаты исследований зависимостей коэффициента шума и коэффициента усиления GaN HEMT транзисторов от режимов работы в L-диапазоне частот (1…2 ГГц). Отмечено, что минимальные измеренные значения коэффициента шума (менее 1,0 дБ) находятся в диапазоне напряжений на стоке 2,5…5,5 В и плотностей тока стока 40…80 мА/мм. Минимальный коэффициент шума (NFmin) имеет значение не более 0,G5 дБ.

Translated text

AI Read Science

Must-Reading Tree

Example

Generate MRT to find the research sequence of this paper

Chat Paper

Summary is being generated by the instructions you defined