Effekt rezistivnogo pereklyucheniya v memristorakh TaN/HfOx/Ni s filamentom, sformirovannym pod deystviem lokal'noy elektronno-luchevoy kristallizatsii

V. A Voronkovskiy, A. K Gerasimova,V. Sh Aliev

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики(2023)

引用 0|浏览0
暂无评分
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要