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Comparative Study on High-temperature Electrical Properties of 1.2 Kv SiC MOSFET and JBS-integrated MOSFET

Zhaoyuan Gu,Mingchao Yang, Yi Yang,Xihao Liu, Mingyang Gao,Jinwei Qi,Weihua Liu,Chuanyu Han,Li Geng,Yue Hao

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS（2024）

引用 7|浏览32

关键词

4H-SiC,high-temperature,JBS-integrated MOSFET,MOSFET

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