Синтез, исследование и нейросетевое моделирование свойств золь-гель структур ITO/ZnO и ITO/ZnO:Mg

Золь-гель методом изготовлены двуслойные структуры ITO/ZnO и ITO/ZnO:Mg и экспериментально исследованы их структурные и фотоэлектриче- ские свойства. Показано, что морфология и ширина запрещенной зоны этих структур по сравнению с пленками ZnO и ZnO:Mg без подслоя ITO заметно изменяется. Проанализированы ВАХ изготовленных структур в темноте и под воздействием оптического излучения разной длины волны. С использованием искусственных нейронных сетей смоделирована их спектральная фоточувствительность. Զոլ-գել մեթոդով պատրաստվել են ITO/ZnO և ITO/ZnO:Mg երկշերտ կառուցվածքներ և փորձնականորեն հետազոտվել են դրանց կառուցվածքային և ֆոտոէլեկտրական հատկությունները: Ցույց է տրվել, որ համեմատած առանց ITO ենթաշերտի ZnO և ZnO:Mg թաղանթների, նկատելիորեն փոխվում է մորֆոլոգիան և նվազում է արգելված գոտու լայնությունը: Վերլուծվել են ստացված կառուցվածքների վոլտ-ամպերային բնութագրերը՝ մթության մեջ և տարբեր երկարությունների օպտիկական ճառագայթման ազդեցության տակ։ Արհեստական նեյրոնային ցանցերի միջոցով մոդելավորվել է դրանց սպեկտրային լուսազգայունությունը։ ITO/ZnO and ITO/ZnO:Mg bilayer structures were fabricated by the sol-gel method and their structural and photoelectric properties were experimentally studied. It is shown that, compared with ZnO and ZnO:Mg films without an ITO sublayer, the morphology changes noticeably and the band gap decreases. The I–V characteristics of obtained structures were analyzed in the dark and under the influence of optical radiation of different wavelengths. Using artificial neural networks, their spectral photosensitivity was modeled.