α-Al 2 O 3 微粉对Al 2 O 3 -Ti 3 SiC 2 复合材料常温导电性能的影响

为研究Ti 3 SiC 2 材料的导电性能,将Ti粉、Si粉、TiC粉按物质的量比为1 1.2 2混合,外加不同含量和不同粒度的α-Al 2 O 3 微粉经热压烧结制备了Al 2 O 3 -Ti 3 SiC 2 复合材料。研究了热压烧结温度（1 300、1 350、1400、1 450、1 500和1 550℃）、α-Al 2 O 3 微粉的添加量（质量分数分别为10%、20%、30%、40%和50%）及粒径（50 nm、500 nm、800 nm和7μm）对该复合材料的物相组成、显微结构、常温导电性能等的影响。结果表明:热压烧结制备的Al 2 O 3 -Ti 3 SiC 2 复合材料的物相主要有Ti 3 SiC 2 、TiC和刚玉,合适的热压烧结温度为1 450℃;随着α-Al 2 O 3 微粉含量和纳米级粒径的增大,Al 2 O 3 -Ti 3 SiC 2 复合材料的导电性能呈线性下降趋势,微米级比纳米级更有益于材料的导电性。