CeO 2 掺杂Si-B复合涂层的制备及氧化行为

采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO 2 掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO 2 掺杂对Si-B复合涂层在1 150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO 2 掺杂前后Si-B复合涂层在1 150℃下氧化160 h的氧化动力学行为。结果表明:适量CeO 2 的掺杂对Si具有一定的催渗效果,当CeO 2 掺杂量为1%（质量分数）时,所制备的Si-B复合涂层的厚度最大且均匀致密,但随着CeO 2 掺杂量的增加,涂层厚度有所减小。CeO 2 掺杂Si-B复合涂层在1 150℃下氧化前70 h的氧化速率常数值（1.48×10-4mg~2/（cm4·h））较未掺杂时明显降低,这表明CeO 2 掺杂Si-B复合涂层的高温抗氧化性能较好。