高度（100）取向的BST薄膜及其高介电调谐率

openalex（2005）

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摘要

用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST35的最大er和调谐率分别达到810 和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的er和调谐率最大分别达到875和63%.薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率.

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