Broadband Near Infrared Emission and Energy Transfer of Ca<sub>2</sub>TbHf<sub>2</sub>Al<sub>3</sub>O<sub>12</sub>∶Ce<sup>3+</sup>,Cr<sup>3+</sup> Garnet Phosphor

è¿‘çº¢å¤–è§å ‰è½¬æ¢åž‹å‘å ‰äºŒæžç®¡ï¼ˆpc⁃LEDï¼‰åœ¨å ‰è°±åˆ†æžã€ç”Ÿç‰©æˆåƒã€å¤œè§†ç §æ˜Žç­‰é¢†åŸŸæœ‰é‡è¦åº”ç”¨ä»·å€¼ï¼Œå¾—åˆ°äº†äººä»¬çš„å¹¿æ³›å ³æ³¨ã€‚æœ¬æ–‡é‡‡ç”¨é«˜æ¸©å›ºç›¸æ³•åˆ¶å¤‡äº†ä¸€ç³»åˆ—Ca2TbHf2Al3O12∶Ce3+，xCr3+（CTHAO∶Ce3+，xCr3+ï¼‰è¿‘çº¢å¤–è§å ‰ææ–™ï¼Œé€šè¿‡ç²‰æœ«XRD表征结合结构精修技术确定制备的CTHAO∶Ce3+，xCr3+ä¸ºçº¯ç›¸çŸ³æ¦´çŸ³ç»“æž„ã€‚åœ¨è¯¥æ ·å“ä¸­ï¼ŒTb3+作为基质组成，与掺杂离子Ce3+å ±åŒä½œä¸ºCr3+ç¦»å­çš„æ•åŒ–å‰‚ï¼Œä¸‰è€ ä¹‹é—´å­˜åœ¨å¤šç§èƒ½é‡ä¼ é€’æ•ˆåº”ï¼Œé€šè¿‡å ‰è°±åŠè§å ‰å¯¿å‘½è¡¨å¾è¯å®žå­˜åœ¨Ce3+→Tb3+、Ce3+→Cr3+、Tb3+→Cr3+çš„èƒ½é‡ä¼ é€’è¿‡ç¨‹ï¼›é‡ç‚¹åˆ†æžäº†Tb3+向Cr3+çš„èƒ½é‡ä¼ é€’æœºåˆ¶ï¼Œä»¥å¶æžâƒå››æžäº¤äº’ä½œç”¨ä¸ºä¸»å¯¼ï¼Œèƒ½é‡ä¼ é€’æ•ˆçŽ‡å¯è¾¾79.5%。CTHAO∶Ce3+，0.02Cr3+在100 ℃时的近红外发射强度能保持初始强度的36%，计算得到活化能为0.30 eVã€‚å°†è¯¥æ ·å“ä¸Ž410 nm芯片相结合制成器件，在驱动电流为200 mA时，近红外最大输出功率可达7.5 mW， å ‰ç”µè½¬æ¢æ•ˆçŽ‡ä¸º1.2%ã€‚æœ¬å·¥ä½œç ”ç©¶äº†é€šè¿‡å¤šé‡èƒ½é‡ä¼ é€’æé«˜Cr3+çš„å‘å ‰ï¼Œå¯¹äºŽè®¾è®¡å’Œå¼€å‘Cr3+æ¿€å‘çš„é«˜æ•ˆè¿‘çº¢å¤–å‘å ‰ææ–™æœ‰ä¸€å®šçš„æŒ‡å¯¼æ„ä¹‰ã€‚