低能N+注入诱导金黄色葡萄球菌的耐药与16S rRNA遗传进化研究
Journal of Xi'an Technological University（2023）
Abstract
为了研究低能N+注入诱导金黄色葡萄球菌对其进化的影响,通过低能N+注入诱变获得耐药突变株,利用基因组De novo测序分析其16S rRNA基因的突变与耐药性变化,探索低能N+注入驱动金黄色葡萄球菌16S rRNA遗传进化与耐药进化的机制.结果共获得158株耐药的金黄色葡萄球菌,其中11株诱变耐药菌的16SrRNA基因序列分别出现片段缺失,GC％从51.23％改变为50.91％～53.12％,V1,V2,V3和V6区发生多个点突变,并出现对诺氟沙星、万古霉素、庆大霉素的不同耐药特征.研究证明低能N+注入可以引发金黄色葡萄球菌16S rRNA基因的随机突变及其耐药进化,为分析低能N+离子注入加速16S rRNA变异和耐药基因从头起源提供新的遗传证据.
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low-energy N+implantation,staphylococcus aureus,16S rRNA,gene mutation,antibiotic resistance
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