基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2023）
摘要
系统研究了快速热退火对锌扩散的In0.53Ga0.47As/InP PIN探测器的影响.利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度.制备了不同退火条件的ln053Ga0.47As/InP PIN探测器.器件测试反映,未退火的探测器在260-300K具有更低的器件电容和更高的激活能.通过暗电流成分拟合对器件暗电流机制进行分析,未退火器件表现出更低的肖克利-里德-霍尔产生复合电流和扩散电流,因而室温下未退火器件具有更高的峰值探测率.为了制备高性能低掺杂吸收层结构的平面型InGaAs探测器,快速热退火是不必要的工艺.
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关键词
shortwave infrared, InGaAs detector, rapid thermal annealing, diffusion
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