分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究
Laser & Infrared（2023）
摘要
报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术.采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一.本文采用分子束外延技术在 3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料.
更多关键词
Molecular Beam Epitaxy(MBE),HgCdTe,HgTe/CdTe superlattice
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