不同钝化层对Er2O3/InP MOS电容器界面和电学性能调控

为满足集成电路发展需要,实验制备Al/Er2O3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容器.采用ALD技术分别制备了超薄的Al2O3,HfO2和HfAlO钝化层,研究了不同种类的钝化层对InP-MOS器件界面和电学特性的影响.实验结果表明,钝化层能有效减小界面态密度,抑制漏电流.其中,HfAlO钝化的MOS电容展现出最小的界面态密度和最佳的器件性能.相比于未钝化的器件,HfAlO钝化电容的界面态密度从3.53×1013 cm-2降至 4.81×1012cm-2,介电常数从 7.7 提高到 23.8,漏电流密度从 2.95×10-9 A/cm2 降低到1.67×10-10 A/cm2.HfAlO钝化层能有效减低界面态密度,并提高器件电学性能.