二聚蒽并噻二唑的合成及光电性能研究

蒽并噻二唑为氮杂多并苯材料构建过程中重要的合成子,通过在蒽并噻二唑骨架上进行适当结构修饰有望进一步拓宽该类合成子结构,进而丰富氮杂多并苯材料结构及应用.以6,7位溴取代的蒽并噻二唑(BTH-m-Br,BTH-o-Br)为原料,采用Suzuki偶联方法构筑出3种具有对称/不对称结构的二聚蒽并噻二唑(M-TTBA,O-TTBA,H-TTBA);通过 1H NMR,13C NMR,HR-MS对结构进行了全面的表征;系统探讨了分子构型对于二聚蒽并噻二唑光电性能的影响,O-TTBA二氯甲烷溶液显示较强的靛蓝色荧光(荧光量子效率:0.027),而H-TTBA和M-TTBA二氯甲烷溶液荧光很弱;同时,化合物O-TTBA、H-TTBA和M-TTBA的起始氧化电位分别为0.21、0.23、0.25 V,相比于溴取代单体BTH-m-Br(0.72 V)和BTH-o-Br(0.70 V)起始氧化电位明显降低,表明偶联后的3种化合物均较易被氧化.基础光电性能的表征为此类化合物在光电器件上应用打下基础.