谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用

U-MRAM: Transistor-Less, High-Speed (10 Ns), Low-Voltage (0.6 V), Field-Free Unipolar MRAM for High-Density Data Memory.

2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)(2023)

引用 1|浏览46
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要