736AMeV28Si与C靶作用弹核碎片发射角研究

利用CR-39探测器、HSP-1000高速成像显微镜和PitFit径迹分析软件研究了中高能28Si与C靶反应产生的弹核碎片角分布。通过束流照射、化学蚀刻以及径迹重建等实验过程，给出了能量为736 AMeV 28Si与C靶反应弹核碎片发射角分布的最新实验结果，并与能量在800 AMeV和775 AMeV下28Si与C靶反应产生的弹核碎片发射角分布进行比较。结果表明，弹核碎片发射角的角分布平均值和宽度大于28Si束流粒子的散射角；大多数弹核碎片发射角小于2.0度，很少有发射角大于2.0度；不同电荷数Z的弹核碎片发射角平均值范围在1.0度以内，其角分布平均值和宽度随碎片电荷数Z的增加总体呈现减小的趋势。