Cr应力缓释层对柔性Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳电池性能的影响

Chen Chunyang,Tang Zhengxia,Sun Luanhong, Wang Wei,Zhao Yijie

Semiconductor Technology（2023）

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摘要

柔性Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈.采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响.结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶质量最好,电池具有最佳的光电性能,相比没有Cr应力缓释层存在的情况,薄膜的残余应力从-7.15 GPa降低至-3.61 GPa,电池的光电转换效率(PCE)从2.89％提高至4.65％,增加了 60.9％.Cr应力缓释层的引人不会影响CZTSSe薄膜的晶体结构,相反可有效提高薄膜的结晶质量,降低薄膜的残余应力,最终提高电池的光电性能.

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