激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究

ZHONG Yujie,LEI Renfang,LIN Longjun,LI Ruizhi, ZHANG Yong,QU Pengcheng,GUO Pei,LIAO Naiman

Semiconductor Optoelectronics（2023）

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摘要

激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺.文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响.研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象.采用2 J/cm2能量密度、50％～65％交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升.

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