结构参数对各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器性能的影响
Journal of Magnetic Materials and Devices（2023）
摘要
采用磁控溅射工艺制备NiFe合金薄膜,通过电子束蒸发制备Barber电极,获得了各向异性磁电阻(AMR)线性磁场传感器.通过材料芯片技术,系统研究了图形化的NiFe薄膜宽度、厚度以及Barber电极角度、间距等因素对传感器性能的影响.测试结果表明,在设计的工艺条件下,NiFe薄膜宽度为36 μm、厚度为28 nm、Barber电极角度为40°以及电极间距为10 μm时,该磁场传感器在磁场范围为±5 G内灵敏度最大,达到1.17 mV/(V·G).研究工作为进一步发展基于AMR效应的角度及磁场传感器芯片提供参考.
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关键词
AMR magnetic sensor,NiFe thin film,Barber-pole,output voltage,sensitivity
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