低剂量电离辐射对HBE细胞氧化应激及损伤修复影响

目的 探讨低剂量电离辐射(LDIR)对HBE细胞氧化应激及损伤修复的影响.方法 将HBE细胞分为0、50、100、200 mGy组,采用X射线照射后分别培养24 h和48 h,检测细胞存活率、谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)、8-羟基脱氧鸟苷(8-OHdG)以及DNA损伤修复相关基因PPP2R2D和TP53基因转录水平.结果 与对照组相比,辐照后24 h,各剂量组细胞存活率差异无统计学意义(P＞0.05);各剂量组MDA水平均显著升高,GSH水平呈剂量依赖性降低,8-OHdG水平呈剂量依赖性升高,PPP2R2D基因mRNA水平均显著升高,差异具有统计学意义(P＜0.05);50 mGy组TP53基因mRNA表达水平显著升高,差异具有统计学意义(P＜0.05).与对照组相比,辐照后48 h,50 mGy组细胞存活率达到最高,MDA水平显著降低,8-OHdG水平显著降低,PPP2R2D基因和TP53基因mRNA表达水平均显著升高,差异具有统计学意义(P＜0.05);100 mGy组细胞GSH水平显著升高,差异具有统计学意义(P＜0.05).结论 LDIR特别是50 mGy的辐射可影响HBE细胞氧化-抗氧化水平以及DNA损伤修复相关基因转录水平差异表达.