硅光工艺特殊性分析
Micro/Nano Electronics and Intelligent Manufacturing（2019）
摘要
硅光集成技术结合了以微电子为代表的集成电路技术的超大规模集成、超高精度制造的特性和光子技术超高速率、超低功耗的优势.基于互补金属化合物半导体(CMOS)工艺开发面向硅光芯片的工艺是硅光技术快速面向市场应用的最优方法.对比CMOS工艺,针对硅光器件的特殊性,分析了与CMOS工艺兼容的硅光工艺开发所面临的挑战,例如波导刻蚀粗糙度和深度的控制、锗外延生长、接触孔的刻蚀、铜互连以及光学临近效应矫正(OPC)等.
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