基质栽培模式对温室西瓜生长、产量和品质的影响

为筛选温室西瓜最适宜的复合基质栽培模式.以设施主栽的小果型西瓜品种为试材,采用复合基质坑点式栽培(T1)、基质袋培(T2)、基质枕栽培(T3)、地上槽式栽培(T,)和地下槽式栽培(T5)5种栽培模式,各栽培模式互为对照,探究基质栽培模式对温室西瓜植株生长、产量和品质的影响.结果表明,在开花坐果期,T4处理的株高、节间长度、叶片数、SPAD值、净光合速率(Pn)和胞间CO2浓度(Ci)分别较T3处理显著增加了 60.81％、20.63％、25.49％、13.77％、6.34％和8.56％,T3处理的气孔导度(Gs)和蒸腾速率(Tr)分别较T4处理显著增加了 65.71％和14.99％;在果实膨大期,T4处理的株高、茎粗和叶片数分别较T3处理显著增加了86.75％、22.42％和16.79％;在成熟期,T4处理的株高、茎粗、节间长度、叶片数、地上部鲜质量、地下部鲜质量、地上部干质量、地下部干质量和果实产量达到最大值,且显著高于T3处理;T3处理的中心糖含量和边糖含量均为最高,中心糖含量显著高于其他各处理,边糖含量显著高于T1、T4和T5处理.综上所述,5种栽培模式均可用于温室西瓜生产,但地上槽式栽培模式有利于促进西瓜的生长发育并提高产量,其西瓜长势最好,果实产量最高,基质枕栽培模式有利于增加果实含糖量,果实品质表现最好.