低剂量电离辐射诱导眼晶状体上皮细胞中差异mRNA表达谱的鉴定

长期受到低剂量电离辐射的人群,眼晶状体浑浊的发生风险显著增加,阐明低剂量电离辐射诱导眼晶状体浑浊的机制,对白内障的预防和早期干预具有重要意义.本文分别以0.2 Gy 137Cs和2 Gy 60Coγ 射线照射人晶状体上皮细胞SRA01/04,基因芯片技术筛选不同剂量照射后48 h表达量产生差异变化的mRNA,0.2 Gy与2 Gy、0.2 Gy与0 Gy、2 Gy与0 Gy比较组分别鉴定出3690、3304、3970个差异表达基因.生物信息技术分析表明差异基因大多参与氧化磷酸化、细胞增殖、细胞粘附等相关通路.SRA01/04和HLE-B3细胞经不同剂量 γ 射线照射后24 h、48 h,用Real-time PCR验证与细胞增殖相关的基因(PIM1、HMGB1、BRE、JUN)表达变化.结果显示两种细胞中,PIM1、HMGB1和BRE基因在照射后24 h,大部分低剂量组相比于未照射组表达水平明显升高,48 h仍然有升高趋势,2 Gy照射后48 h,基因表达水平显著下降或回到基线水平.本研究表明低剂量电离辐射可以诱导人眼晶状体上皮细胞表达谱的改变,差异表达的基因参与了细胞重要的生物学过程和信号通路,有助于揭示低剂量电离辐射诱导眼晶状体浑浊并诱发白内障的分子机制.