谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用
VIPCreated with Sketch.

Improved Vertical Β-Ga2o3 Schottky Barrier Diodes with Conductivity-Modulated P-Nio Junction Termination Extension

Weibing Hao,Feihong Wu,Wenshen Li,Guangwei Xu,Xuan Xie,Kai Zhou,Wei Guo,Xuanze Zhou,Qiming He,Xiaolong Zhao,Shu Yang,Shibing Long

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（2023）

引用 37|浏览44
关键词
beta-Ga2O3,junction termination extension (JTE),NiO,Schottky barrier diode (SBD)
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要