GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究综述
wf（2023）
摘要
GaAs 基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、等离子体刻蚀时易对掩膜和侧壁造成形貌损伤、刻蚀过程中生成副产物过多等问题,影响了应用范围和提高了制造难度.如何保持高刻蚀速率并尽可能地减小刻蚀损伤成为了 目前的研究热点问题.分析了 GaAs基VCSEL干法刻蚀技术的研究现状与技术难点,并展望了未来的发展趋势.
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