掺杂近藤绝缘体中电子态不均匀性

通过测量Yb掺近的近藤绝缘体Sm1-xYbxB6单晶随温度变化的电阻（ρ），磁化率（χ）和比热容（C），我们发现当掺杂量从x=0逐渐过渡到x=1的过程中，Sm1-xYbxB6系统从一个近藤绝缘体态逐渐过渡到一个电子不均匀的重费米子态，最终转化为一个弱关联的金属态。在此过程中，随着Yb掺杂量的连续增加，体现近藤晶格系统中集体相干性的特征温度(T*)连续下降。当相干温度接近单杂质近藤温度时，低温下体系的比热容有显著的增加。在此掺杂区间内，集体的近藤效应与局域的单杂质近藤效应在低温下共存，体系进入一个奇特电子态不均匀的重费米子态。Sm1-xYbxB6系统提供了一个研究近藤绝缘体中电子不均匀性的很好平台。