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GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法

银军, 黄旭,李用兵,余若祺,倪涛, 王忠,许春良,赵鹏阁

wf（2022）

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Abstract
本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命方法,分析了热电子效应对器件长期可靠性的影响.同时提出了采用栅漏反偏试验剔除早期存在热电子效应的试验方法,保证器件的可靠性和工作寿命.
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