非晶硅对MoO x /c-Si异质结太阳电池器件的影响

室温下电子束蒸发沉积氧化钼（MoO x ）薄膜呈非晶态,光学带隙约为3.6 eV,与单晶硅表面构成MoO x /c-Si异质结并具有钝化作用,但明显低于i∶α-Si∶H钝化。ITO/MoO x /i∶α-Si∶H/n∶c-Si/i∶α-Si∶H/n+∶α-Si∶H/Al太阳电池结构,既有晶硅前后表面钝化,又增加了背电场层,适当的MoO x 厚度可获得电池的最高效率（15.5%）;若取消晶硅表面i∶a-Si∶H钝化,与HIT（heterojunction with intrinsic thinlayer）电池类似,硅的前表面复合增大,电池效率降为11.5%;若取消背表面i∶a-Si∶H钝化及背电场材料n + ∶a-Si∶H,电池效率急剧下降到8.3%,这表明背表面钝化及背电场,对MoO x /c-Si异质结太阳电池特性具有更为重要的作用,对高效器件制备具有一定指导意义。