局部放电对SiC MOSFET控制单元影响研究
wf（2022）
摘要
近些年,碳化硅(SiC)半导体器件因其材料优势,可提高电力电子变换器的性能,引起了国内外学者的广泛关注.SiC功率器件的高压化推动了以电力电子变压器为代表的电力电子装备电压等级的提升,使得电力电子装备中的控制单元面临局部放电的威胁,亟需开展局部放电对控制器的影响分析.针对应用在高电压工况条件下,局部放电对其控制电路的影响,设计了相关试验,标定了在150 pC局部放电量条件下,数字信号处理器(DSP)芯片模块的输出波形受到较大影响,而电容、电阻等结构在该放电量下并未对输出波形产生明显影响,为以后相关设计提供了定量参考.
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