单片集成MEMS三轴磁场传感器

FU Chunmo,XIONG Bin,LU Zhongming, WANG Wenjie

wf（2022）

引用 0|浏览0

暂无评分

摘要

利用微机电系统(MEMS)工艺,设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器.将两种不同结构的器件通过MEMS工艺集成到单一芯片上,完成单片集成MEMS三轴磁场传感器的制作.测试结果表明:在大气环境下,2S梁耦合器件对Z轴磁场的开环灵敏度为7.435μV/mT,非线性度为0.436％.当其用于Z轴磁场测量时,其对于X轴磁场的交叉轴抑制比γz,x为49.749 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γz,y为46.324 dB;在大气环境下,扭转框结构器件对X轴磁场的开环灵敏度为2.223μV/mT,非线性度为0.49％.当其用于X轴磁场测量时,其对于Z轴的交叉轴抑制比γx,z为44. 687 dB,对Y 轴磁场的交叉轴抑制比γx,y为41. 138 dB.

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要