Ga x In 1-x P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展

对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga x In 1-x P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了Ga x In 1-x P材料的氢化物气相外延（HVPE）制备工艺对Ga x In 1-x P外延层质量和Ga x In 1-x P太阳电池性能的影响，并对国外研究中用于制备Ga x In 1-x P材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、Ga x In 1-x P太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述，总结了近年来HVPE法制备Ga x In 1-x P材料在太阳电池领域的研究进展，HVPE有望代替MOCVD而成为Ga x In 1-x P的主流制备工艺。最后，对HVPE法制备Ga x In 1-x P太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结，并对国内在该领域的研究工作指明了方向。