Ⅱ类超晶格探测器背面减薄技术研究
Infrared（2022）
Abstract
为了验证外延材料制备工艺试验的正确性,减少GaSb衬底对红外光的吸收,同时提升探测器的可靠性和长期稳定性,需要对Ⅱ类超晶格红外探测器的GaSb衬底进行减薄处理.采用机械抛光法和机械化学抛光法实现Ⅱ类超晶格探测器的GaSb衬底背面减薄,最后利用专用腐蚀液腐蚀的方法将GaSb衬底全部去除,使Ⅱ类超晶格材料完全露出.扫描电镜测试表明,超晶格材料腐蚀阻挡层能起到较好的阻挡作用,材料表面光滑,衬底无残留.探测器性能测试结果表明,减薄后的探测器芯片性能未发生变化.
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