零砷压下Ga液滴在AlGaAs表面扩散行为的研究

本文研究了Ga液滴在Al0.4 Ga0.6 As表面的扩散行为.在衬底温度为380℃时,在Al0.4 Ga0.6 As薄膜上沉积3 MLGa液滴;在零砷压下,通过改变退火时间(0 s,150 s,300 s,450 s,600 s)观察液滴形貌变化,利用剖面线、坑洞和液滴的比例变化分析发现液滴高度随时间延长越来越低,直至形成坑洞,Ga液滴内部的原子在Al0.4 Ga0.6 As表面上首先向外扩散,而后与表面As原子结合成环,约在退火时间到500 s时扩散模式逐步变化为向下溶蚀.利用公式计算出最初Ga覆盖率约为2.6 ML,并且在380℃下Ga液滴在Al0.4 Ga0.6 As表面的液滴消耗速率为0.0065 ML/s.