CrI3高压相变及其光学性质理论研究
Journal of Atomic and Molecular Physics（2019）
Abstract
利用第一性原理计算方法,探讨了体相CrI3在低温斜方六面体结构(R3-,BiI3-type)及高压单斜结构(C2/m,AlCl3-type)的相变、电子结构和光学性质.计算结果显示,半导体CrI3当压强增加到26.1GPa时,高压导致的晶格畸变致使CrI3从相R(3)变化到相C2/m;原子之间的错位位移,使导带处的能带发生下移,价带处的能带发生了一定程度的上移,导致带隙减小.两种相的光学性质进一步验证了这些特性.
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