AsI3电子结构与弹性性质的第一性原理研究

SUN Xiao-Xiao,LI Min-Jun,ZHAO Xiang-Min,CHEN Yu-Qiang,LI Cong

Journal of Atomic and Molecular Physics（2015）

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摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对AsI3的平衡态晶格常数、弹性常数和电子结构进行了研究．研究结果表明,R-3结构的AsI3在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合的很好． AsI3是脆性材料,具有大的弹性各向异性特征． R-3相AsI3的块体模量、剪切模量和杨氏模量分别为14．2 GPa,9．8 GPa和23．9 GPa,泊松比为0．22,德拜温度是163 K．能带结构计算表明,AsI3是带隙为2．34 eV的间接带隙半导体． AsI3的化学键是弱共价键和离子键的混合．

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关键词

AsI3,Anisotropy,First principles,Electronic properties

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