二硝酰胺铵晶体表面结构与性质分析

为研究二硝酰胺铵(ADN)晶体的表面性质,通过理论模拟计算探究了 ADN晶体重要晶面的阴阳离子暴露数目、粗糙度、电负性和表面自由能等,并探讨了其与晶体吸湿性之间的关系;分析了 ADN的键长分布,探究了引发键密度和表面自由能的关系,计算了不同晶面的引发键能量,研究了不同晶面下机械感度的大小.结果表明,当ADN表面带负电性或者电中性时吸湿性较低,表明晶体表面暴露的阴阳离子与吸湿性有关,暴露的阴离子数目越多,吸湿性越低;从晶体表面结构性质可以得出,晶体表面越光滑,吸湿性越低,感度越低;表面自由能越大,吸湿性越强;晶面的引发键密度越小、引发键能量越低,机械感度越大.其中(0 2 0)和(1 0 0)晶面光滑程度较高,表面自由能较小,引发键密度和引发键能量较大,因此吸湿性和机械感度较低.