SnO2对低温烧结ZnBiMnNbO基高压压敏陶瓷的影响

采用传统固相烧结工艺,在875℃低温保温3 h条件下制备了0％～0.75％(摩尔分数)SnO2掺杂ZnBiMnNbO基压敏陶瓷.采用高精度分析天平、XRD、SEM、EDS及高精度源表等研究了SnO2含量变化对所制备材料显微结构及电学特性的影响.结果表明:在所研究范围内,SnO2含量升高增大了材料的相对密度,并促进含铌Bi2 Sn2 O7焦绿石新相的形成.因此,材料的平均晶粒直径由4.38μm减小至4.04μm,压敏电压由727 V/mm升高到1024.37 V/mm,非线性系数由32.37提升至52.64,漏电流密度由13.5μA/cm2降低至1.55μA/cm2.研究结果可为低成本、高非线性、高压压敏陶瓷的研制提供借鉴.