基于TCAD仿真建模的瞬时剂量率效应研究
Journal of Astronautic Metrology and Measurement（2022）
Abstract
针对一款百万门级0.18μm互补金属氧化物半导体(0.18μm CMOS)工艺抗辐射加固的微处理器电路,提出了采用TCAD仿真建模技术对加固电路开展瞬时剂量率效应研究的方法,仿真结果表明通过保护环结构加固设计,可有效提升电路的抗瞬时剂量率效应性能,并利用瞬时剂量率辐射源进行了仿真有效性的试验验证.结果表明,采用TCAD仿真手段得到的瞬时光电流峰值与试验得到的光电流峰值误差小于5％,证实了仿真研究电路瞬时剂量率效应方法的有效性.
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