分子束外延GaAs基M-HEMT与Si基HEMT材料研究
Research & Progress of Solid State Electronics（2022）
摘要
在GaAs基渐变缓冲层高迁移率晶体管(M-HEMT)器件中,二维电子气的输运性能对器件性能有决定性作用.系统研究了 GaAs M-HEMT材料中不同In组分沟道和生长温度对沟道电子迁移率和薄层电子浓度的影响.结果表明,沟道In组分为0.65时,材料电学性能最好;提高生长温度能有效提高材料的迁移率.为了后续将Si CMOS技术与HEMT材料结合实现高集成度应用,将M-HEMT结构外延在硅衬底上并得到了初步的研究结果,室温下电子迁移率为3 300 cm2/(V·s),薄层电子浓度为4.5×1012 cm-2.
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