下一代光刻机技术的探索:第六代双光束超分辨光刻机概念、技术和未来

集成电路的发展至今已有60余年,对更为强大性能芯片的追求使得芯片制造技术不断迭代升级.长期以来,基于紫外光源投影曝光光刻的芯片制造方法是大规模集成电路制造的唯一选择.然而,随着极紫外光刻机进入产线应用和不断性能优化,芯片制造已经进入了 7 nm及以下节点.对于摩尔定律是否可以持续、极紫外光刻能否支撑未来芯片需求等问题,学术界和工业界均未形成一致的意见和具有共识的下一代光刻技术路线.相对基于极紫外投影曝光式的第五代光刻机,本文提出基于双光束超分辨技术的第六代光刻机概念,并从多个角度论述基于双光束超分辨的第六代光刻机技术的优势和潜力,同时也讨论了该技术存在的难点以及可能的解决方法.作为不同于紫外光刻技术路线的一种可替代技术路线,双光束超分辨光刻机技术将极有可能引领未来芯片制造.