SixNy沉积参数对量子阱混杂效果的影响
Acta Optica Sinica（2022）
Abstract
SixNy常被用作量子阱混杂(QWI)的抑制材料,为了探索SixNy的生长工艺对InGaAs/GaAs量子阱结构混杂效果的影响,对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的工艺参数,如沉积时间、SiH4流量以及射频(RF)功率进行一系列实验.实验结果表明:SixNy可以较好地保护量子阱,但其厚度对QWI抑制效果的影响较小;当SiH4流量较大时,SixNy中富Si,退火过程中Si可能发生扩散而与P型欧姆接触层形成电补偿,同时诱导量子阱混杂,使其波长发生较大蓝移;减少SiH4流量,SixNy中Si的含量降低,折射率降低,但蓝移量仍较大;在一定范围内,蓝移量随着RF功率的增大而增大;当RF功率为50 W、SiH4流量为50 sccm时,SixNy起到较好的量子阱保护作用,蓝移量仅为14.1 nm.
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Key words
thin films,SixNy,quantum well intermixing,InGaAs/GaAs,blue shift,PECVD
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