氧化石墨烯诱导高织构Mo掺杂Bi2 Te3薄膜的热电性能
Journal of Zhejiang Normal University(Natural Sciences)（2022）
Abstract
为提高Bi2Te3薄膜的热电性能,采用磁控溅射技术在旋涂有氧化石墨烯(GO)缓冲层的玻璃衬底上共溅制备的Mo掺杂的n型Bi2Te3薄膜.通过对其形貌、组成及热电特性的表征,研究了(0 0 l)择优取向的不同Mo溅射功率(P=0,15,25,35,45 W)对Bi2Te3的热电性能的影响.结果表明:GO缓冲层的存在可以实现高度取向(0 0 l)的Bi2Te3薄膜制备,室温下薄膜迁移率为48 cm2·V-1·s-1;Mo掺杂有效提高了 Bi2Te3薄膜的载流子浓度,使得PMo=25 W时的Bi2Te3薄膜在室温下最大电导率为944 S·cm-1,其在400 K时最大功率因子达到2 074.6 μW·m-1·K-2.表明氧化石墨烯诱导高织构Mo掺杂可以优化n型Bi2Te3薄膜的热电性能.
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