团簇NiPS3的成键及稳定性分析

为了对团簇NiPS3的成键情况和稳定性进行研究,以密度泛函理论为理论基础,在B3LYP/def2-tzvp水平下,对团簇NiPS3的初始构型进行优化计算,最终得到二、四重态下共10种优化构型.通过对各原子间平均键级、平均键长和成键键级贡献率三方面对团簇NiPS3的成键情况进行分析,发现P—S键的平均键级较大,平均键长较短,说明在团簇NiPS3中P—S键的成键能力最强,成键强度最大;各原子之间成键键级贡献率的大小顺序为P—S键＞Ni—S键＞S—S键＞Ni—P键.通过对各构型能量参数和HOMO-LUMO能隙差两方面对团簇NiPS3的稳定性进行分析,发现构型1(2)的校正能(EZEP)最低,吉布斯自由能变(ΔG)最小,结合能(EBE)最大,相较其他构型更加容易形成,且其HOMO-LUMO能隙差最大,故在构型1(2)中电子跃迁较难发生,即构型1(2)的热力学稳定性和化学稳定性均为最优.