6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响

Fang Yulong,Zhang Zhirong,Yin Jiayun,Wang Bo,Lu Weili,Gao Nan,Chen Xiufang

Semiconductor Technology（2022）

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摘要

大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义.然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一.使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温场生长的晶体外形更加平整.对两个批次的6英寸(1英寸= 2.54 cm)SiC单晶衬底分别进行了(004)面X射线摇摆曲线全图扫描,评价了衬底结晶质量,并在衬底上进行了 GaN外延生长.结果表明,采用结晶质量好且均匀的SiC单晶衬底,外延生长的GaN质量更高.

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