碳化硅器件封装进展综述及展望

DU Zechen,ZHANG Yijie,ZHANG Wenting,AN Yunlai,TANG Xinling,DU Yujie,YANG Fei,WU Junmin

Electronics and Packaging（2022）

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摘要

碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点.应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大,难以匹配SiC器件的快速开关特性,同时在高温工况下封装可靠性大幅降低,为充分发挥SiC器件的优势需要改进现有的封装技术.针对上述挑战,对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结.分析了现有的高温封装技术,结合新能源电力系统的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望.

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