磁控溅射制备ZnO/p-Si薄膜异质结的室温气敏特性

WANG Guodong,YANG Linlin,MA Hongyan,QU Guangming

Transducer and Microsystem Technologies（2022）

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摘要

采用磁控溅射方法在p型Si衬底上制备ZnO纳米薄膜并形成异质结.在溅射气压分别为0.1,1.0,5.0 Pa时制备了不同形貌的ZnO纳米薄膜,并详细分析了ZnO薄膜的表面形貌、结晶质量对异质结I-V特性和室温气敏特性的影响.结果表明:溅射气压为5 Pa时,ZnO薄膜的结晶质量最好,异质结的气敏性能最佳.室温下,在18×10-3的乙醇气体中,当外加偏置电压为18.4 V时,其电流灵敏度最高可达617%.

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