ИССЛЕДОВАНИЕ МНОП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ LPCVD SIЗN4-СЛОЯ ДЛЯ RERAM

О.М. Орлов,В.А. Гриценко,А.А. Гисматулин,Д.С. Мизгинов

Nanoindustry Russia（2021）

引用 0|浏览1

暂无评分

摘要

Рассматриваются перспективные направления развития памяти ReRAM. Нитрид кремния является перспективным резистивным переключающим слоем для мемристоров; проведено экспериментальное исследование изготовленных МНОП-структур (мемристоров) и переноса заряда в них в диапазоне температур 298-450 K.

查看译文

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要