Сравнение СТМ и АСМ измерений тонких пленок Mo с моделью Кардара-Паризи-Жанга

Л.А. Фомин,И.В. Маликов,В.А. Березин,А.Э. Рассадин,А.Б. Логинов,Б.А. Логинов

Журнал технической физики（2021）

引用 0|浏览2

暂无评分

摘要

The relief of thin Mo epitaxial films grown on the R-plane of sapphire has been studied by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy. The region of parameters of the model of the evolution of the surface relief of the Kardar-Parisi-Zhang films is found, in which it corresponds to the obtained experimental results.

查看译文

关键词

тонких пленок mo,асм

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要