Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe
Ukrainian Journal of Physics(2021)
Abstract
Дослiджено умови виготовлення фотодiодних iзотипних гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок бiксбiту a-Mn2O3 на кристалiчнi пiд-кладинки n-CdZnTe. За температурними залежностями I-V -характеристик проаналiзовано механiзми тунелювання електронiв крiзь енергетичний бар’єр гетеропереходу при прямому та зворотному струмах. З’ясована роль енергетичних станiв на межi n-Mn2O3/n-CdZnTe у формуваннi параметрiв бар’єра. На основi C-V –характеристик встановлено динамiку змiни i взаємозв’язок ємнiсних параметрiв тонкої плiвки n-Mn2O3 та iнверсiйного шару n-CdZnTe. Представлено модель енергетичної дiаграми гетеропереходу n-Mn2O3/n-CdZnTe. Проаналiзовано фотоелектричнi властивостi гетероструктури.
MoreTranslated text
Key words
n-cdznte
AI Read Science
Must-Reading Tree
Example
![](https://originalfileserver.aminer.cn/sys/aminer/pubs/mrt_preview.jpeg)
Generate MRT to find the research sequence of this paper
Chat Paper
Summary is being generated by the instructions you defined