Определение толщин и особенностей легирования многослойных 4H-SiC-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения

Разработана методика частотного анализа ИК спектра отражения для определения толщин и порядка расположения слоев в эпитаксиальной структуре (ЭС) карбида кремния, выполнены расчеты для 4H-SiC ЭС, показана высокая чувствительность метода к оптическим границам, возникшим в результате последовательного увеличения уровня легирования в процессе роста слоя.